据韩媒Theelec报道，SK海力士为提升高带宽存储器（HBM）产能，已正式启动位于韩国清州的M15X工厂第二号无尘室的二次配工程。该工程是设备搬入前的关键阶段，完成后即可开放无尘室并开始设备安装。
M15X工厂是SK海力士为扩产而新建的生产设施，其首座无尘室已于2025年10月开放并开始设备搬入。随着第二座无尘室进入二次配阶段，SK海力士的设备投资步伐明显加快。韩国业界推测，该厂的月产能有望扩大至5.5万~6万片。
二次配工程是指在半导体生产线中，预先规划主要设备与基础设施管线的连接作业，属于设备搬入过程的最后阶段。通常情况下，从二次配工程完成到设备实际搬入需要数周至数月时间。不过，也有观点认为，二次配工程与设备搬入可同步进行，从而加速整体进度。
熟悉SK海力士的消息人士透露，M15X首座无尘室主要用于生产第五代高带宽存储器（HBM3E）和第六代HBM4所需的DRAM。至于第二座无尘室的具体生产计划尚未确定。此外，SK海力士原计划在该厂生产第五代10纳米级（1b）DRAM，但近期也有消息称，将引入部分第六代10纳米级（1c）DRAM生产线。
与此同时，SK海力士位于清州的M8 P&T6工厂也在进行二次配工程，预计将在几个月后启动。P&T是封装（Package）和测试（Test）的缩写，该工厂由SK海力士子公司SK海力士系统IC的M8工厂改造而成，未来将专注于后端制程，包括矽穿孔（TSV）和芯片垂直堆叠等技术。
