据日经新闻12月11日报道，存储芯片巨头铠侠（Kioxia）计划在2026年启动第10代NAND闪存的生产，目标是满足AI数据中心的强劲需求。
据悉，铠侠将利用位于日本岩手县北上市的北上工厂第二晶圆厂（K2）进行新一代NAND闪存的生产。这款被称为“第10代”的NAND闪存，其存储单元堆叠层数将从目前第8代的218层提升至332层。相比现有技术，新产品在单位面积存储容量上提升了59%，数据传输速度提高了33%，同时功耗也有所降低。
这一消息引发市场关注。铠侠的合作方Sandisk的股价在12月10日应声上涨，单日涨幅达6.11%，收盘价为232.86美元/股。
铠侠此次技术升级被视为其在存储芯片领域保持竞争力的重要举措。随着AI技术的快速发展，数据中心对高性能存储芯片的需求持续增长，332层NAND闪存的推出或将为铠侠带来显著的市场优势。
