瑞银最新报告指出,传统DDR内存将在2026财年二季度实现毛利率反超高带宽存储器(HBM),成为美光新的获利引擎。这一结论发布于美光2026财年一季度财报前夕,引发行业热议。瑞银维持美光“买入”评级,并给出275美元目标价,认为存储器产业正经历结构性转变。
为抢占人工智能(AI)红利,三星、SK海力士等头部厂商将60%新增晶圆产能投向HBM,导致传统DRAM供应持续收紧,供需失衡格局逐渐显现。数据显示,2026财年一季度,美光传统DRAM出货量仅增长1%,但均价暴涨16%,毛利率达60%,与HBM的63%差距大幅缩小。瑞银预测,二季度DDR毛利率将升至67%,首次超越HBM的62%,并在三季度达到71%,四季度突破75%。
DDR崛起是供需共同作用的结果。供给端,HBM产能消耗大,良率仅60%-70%,大量产能被占用,形成对传统DRAM的挤出效应。瑞银预计,2027年前行业新增产能仍优先满足HBM需求。需求端,工业控制、车用电子等领域对DDR需求刚性,AI服务器普及也带动配套需求增长。此外,HBM3E单位成本是DDR5的5倍以上,非极致算力场景下DDR性价比优势突出,进一步支撑其价格。
这一变化直接提振美光业绩。瑞银预测,美光2026财年一季度营收达132亿美元,每股盈余4.27美元,远超市场预期,增长主要由DDR涨价驱动。尽管如此,HBM长期增长仍可期。预计到2027年,美光HBM营收将达212.4亿美元,占比升至26%,形成DDR稳利润、HBM拓增长的双引擎格局。