12月8日，盛美上海在互动平台透露，公司已推出多款适配HBM（高带宽存储器）工艺的设备，涵盖清洗、电镀及封装等环节，全面助力大算力芯片制造。
据悉，盛美上海的Ultra ECP 3d设备是HBM工艺中的核心设备之一，主要用于TSV（硅通孔）铜填充工艺。该设备性能卓越，支持500层以上3D NAND的TSV铜填充，良率高达99.8%，并兼容5nm以下工艺。2024年下半年，相关订单将开始放量，目前已进入三星供应链，满足HBM对高深宽比结构电镀的需求。
此外，盛美上海多款创新清洗设备也广泛适配HBM工艺。例如，SAPS兆声波单片清洗技术能够处理TSV深孔清洗，显著减少漏电流，已应用于SK海力士和美光的HBM产线。世界首创的TEBO兆声波清洗技术则解决了复杂3D结构产品的清洗难题，已通过第一梯队芯片制造商验证并完成4台设备销售。Ultra C Tahoe设备在精细清洗方面表现突出，可节约硫酸高达75%。而超临界CO₂清洗干燥设备通过TEBO兆声清洗与超临界干燥的结合，实现了HBM超精细结构的无损清洗。
盛美上海的全线封测设备，包括湿法设备、涂胶设备、显影设备及电镀铜设备，不仅适配HBM工艺，还可应用于大算力芯片的2.5D封装工艺。其面板级封装（FOPLP）电镀设备可处理610×457mm的大尺寸基板，满足HBM相关AI芯片的高密度封装需求，技术指标处于国际领先水平。
为强化在HBM设备领域的竞争力，盛美上海正加大研发投入。2025年9月，公司通过定增募集的44.35亿元中，2.5亿元将用于先进封装湿法设备，重点开发HBM晶圆键合前的高精度清洗技术；8.2亿元投向PECVD设备，计划2026年实现HBM封装中介质层的单原子级精度控制。此外，公司还计划在2026年前推出支持HBM4的清洗设备，并已在韩国研发中心设立HBM专项实验室，进一步提升市场份额。
