据机构调查显示，2025年全球存储产业因AI算力需求激增进入“超级周期”，DRAM与NAND闪存的价格和厂商利润均显著提升。2026年尽管资本支出持续增加，但对位元产出的拉动作用有限。投资重点正从产能扩张转向制程升级、高层数堆叠、混合键合及HBM等高附加值领域。
具体来看，2025年DRAM资本支出预计为537亿美元，2026年将增至613亿美元，同比增长14%；NAND闪存2025年资本支出为211亿美元，2026年微增至222亿美元，同比增长5%。资本支出的增长并非用于产能扩张，而是用于技术迭代，例如DRAM的1γ制程渗透与TSV设备布局，以及NAND的BiCS8/BiCS9研发和G9制程导入。
厂商策略分化，技术升级成焦点
各厂商资本支出策略差异明显。美光最为激进，2026年预计投入135亿美元，同比增长23%，主要用于1γ制程和TSV设备；SK海力士资本支出增长17%至205亿美元，主要用于M15x工厂的HBM4产能扩张；三星资本支出增长11%至200亿美元，聚焦HBM的1C制程渗透及小幅增加P4L晶圆产能。
在NAND领域，Kioxia/SanDisk与长江存储（YMTC）因无DRAM业务，扩产最为积极。Kioxia/SanDisk资本支出达45亿美元，同比增长41%，加速BiCS8生产并研发BiCS9；美光则专注于G9制程与企业级SSD，资本支出同比增长63%。相比之下，三星与SK海力士/Solidigm缩减NAND支出，优先发展HBM与DRAM业务。
供不应求或贯穿全年
目前，DRAM与NAND厂商普遍面临无尘室空间不足的问题，仅三星和SK海力士有小幅扩产机会，而美光需等待美国ID1新厂2027年落成后才能贡献产能。2026年资本支出更多聚焦技术升级而非扩产，这将导致供应位元增幅有限。
NAND闪存的需求增长主要源于AI对存储容量的结构性需求（如单台AI服务器需数十TB闪存）以及HDD供应不足（云端服务商转向SSD采购）。结合资本支出“重技术轻扩产”的趋势，机构预测，NAND闪存市场的供不应求状态可能贯穿2026年全年，价格或将维持高位。
