据半导体行业消息人士透露，三星电子已完成第六代高带宽存储器（HBM4）的研发，并通过了量产前的最终质量验证——生产准备就绪认证（PRA）。这意味着三星电子已具备将HBM4从研发转向大规模量产的能力。
三星电子通过将10nm级第六代（1c）DRAM芯片与采用其代工部门4nm逻辑工艺制造的基础芯片相结合，成功解决了发热和速度等技术难题。这一突破为三星电子在高附加值HBM市场中占据领先地位奠定了基础。
业内人士预计，从2026年下半年开始，HBM市场将快速从第五代（HBM3E）过渡到第六代（HBM4）。三星电子明年的HBM出货量预计将达到105亿Gb，比今年增长约三倍。随着HBM4占比提升和技术完善，利润率也将显著提高。此外，三星电子计划将HBM4价格定在每件500美元左右，比目前主流的HBM3E高出约50%。
除了HBM市场，通用内存市场的供应短缺也将推动三星电子业绩增长。预计2026年服务器DRAM需求将同比增长35%，而供应增长仅为23%。全球科技巨头和AI服务器制造商已开始提前采购，11月服务器DRAM价格环比上涨约25%。由于三星电子将晶圆产能集中于高利润的HBM和服务器DRAM，移动和PC DRAM价格也同步上涨。分析师预测，2026年第一季度通用DRAM价格将比今年第四季度上涨超过20%。
三星电子还成功拿下了英伟达GPU和谷歌TPU的HBM供应订单，进一步巩固了其市场地位。目前，三星已完成向谷歌和英伟达提交HBM4样品，并未发现重大质量问题。业内人士表示，三星电子最早可能在12月获得英伟达的最终质量认证，但更可能在2026年初完成。
据金融投资行业预测，三星电子2026年的年度营业利润将接近或超过100万亿韩元，创历史新高。其中，半导体DS部门的营业利润预计将达到77万亿~93万亿韩元。业内人士指出：“AI内存市场正面临严重供应短缺，三星电子凭借HBM4的量产能力，不仅验证了技术实力，还将通过大规模量产实现可观盈利。”
