据韩国媒体报道，三星电子在错失2024年大部分高利润AI内存订单后，正积极调整策略，计划于2026年向英伟达供应超过一半的第二代小型外形压缩附加内存模组（SOCAMM2），对应约100亿GB的出货量。这一举措表明三星在1c纳米（第五代10纳米级）DRAM的良率与性能上取得重要突破，成功挑战美光在该领域的先发优势。
SOCAMM2是一种专为AI服务器CPU设计的高性能内存模组，采用压缩连接结构，整合多颗LPDDR5X芯片，传输速率高达9,600 MT/s，相比前代的8,533 MT/s有显著提升。该模组将主要用于英伟达即将推出的Vera CPU，承担AI推理中的数据搬运任务。为满足100亿GB SOCAMM2的生产需求，三星每月需投入约3至4万片晶圆产能，占其DRAM总产能的5%左右。剩余订单则由SK海力士与美光瓜分。
随着AI服务器对高密度、低功耗及可维护内存架构需求的持续增长，SOCAMM被视为继高带宽内存（HBM）之后的又一关键技术演进方向，未来市场潜力巨大。
