三星调整存储芯片产能：缩减HBM3E、转向1b纳米DDR5

据测算，三星计划将1a纳米制程的HBM3E产能缩减30%-40%，并将资源转向1b纳米制程的标准内存生产。这一调整源于当前罕见的盈利倒挂现象。目前，1b纳米制程生产的DDR5等标准内存，其单位晶圆的盈利能力已超过1a纳米制程的HBM3E。

自2025年初以来，DDR5内存价格已上涨60%，需求覆盖数据中心、PC等多个领域，展现出强劲的市场潜力。相比之下，三星的HBM3E售价较SK海力士低30%，预计到2026年价格还将进一步下降30%。这种市场趋势使得HBM3E的盈利能力受到显著影响。

通过产能转换，三星预计每月可新增数亿美元利润，从而显著提升整体盈利能力。