台积电分享定制HBM内存新进展

据德媒Hardwareluxx编辑Andreas Schilling在社交平台分享的图片，台积电于11月25日在荷兰阿姆斯特丹举行的2025年OIP（开放创新平台）生态系统论坛欧洲场活动中，详细介绍了其首代定制HBM（高带宽内存）的相关规划。

与美光首席商务官Sumit Sadana的观点类似，台积电认为定制HBM将在HBM4E时代实现落地。台积电将这种定制化产品称为C-HBM4E。据悉，C-HBM4E将在基础裸片中集成MC（内存控制器），以满足计算芯片面积节省等需求。

图源：Andreas Schilling

在HBM4时代，台积电提供了两种不同的HBM基础裸片制程方案：面向主流市场的N12FFC+和追求高性能的N5制程。而在C-HBM4E上，台积电将采用更先进的N3P制程方案，据称能将能效提升至HBM3E基础裸片的两倍左右。此外，C-HBM4E的Vdd电压将降至0.75V，较HBM4进一步优化，从而实现更高的能效表现。