据日经新闻（Nikkei）报道，美光（Micron）计划在日本广岛工厂投入2万亿日圆（约合129.2亿美元），用于开发和生产多个时代的DRAM存储器技术。这一计划得到了日本经产省提供的7,745亿日圆补助支持。
美光全球营运执行副总裁Manish Bhatia表示，广岛工厂将从2026年起开始量产1γ（Gamma）时代的DRAM，并将该技术应用于高带宽存储器（HBM）的制造。此外，广岛工厂还将在1γ技术之后，继续研发效能更高的1Δ（Delta）和1ε（Epsilon）技术。
为了支持生产，美光将在2025年5月引入极紫外光（EUV）曝光机。这是继中国中国台湾地区工厂之后，美光第二个启用EUV曝光机的量产基地。公司计划先在中国中国台湾地区提升产品良率和品质，随后在广岛工厂全面展开量产。
此次投资不仅强化了美光在日本的技术布局，也为其在全球存储器市场的竞争力提供了重要支撑。广岛工厂的持续发展将进一步巩固美光在DRAM和HBM领域的领先地位。
