据韩媒《韩国经济》援引业界消息，SK海力士计划在2026年大幅提升用于通用DRAM的1c DRAM产能，预计将达到目前的8倍以上。此举旨在满足包括NVIDIA在内的超大型科技企业对先进存储器的需求。
据悉，SK海力士将在其韩国利川园区通过制程转换新增每月14万片1c DRAM产能，基准为12英寸晶圆。相关人士透露，这一数字仅为最低增加量，公司还在评估每月增加16万至17万片产能的可能性。具体来看，SK海力士计划在2025年底前先建置每月约2万片的1c DRAM产能，并从2026年起加速制程转换，预计到2026年底前再追加14万至17万片产能。
这意味着，SK海力士的1c DRAM产能将从2025年底的2万片大幅提升至2026年的16万至19万片。以目前每月约50万片的DRAM总产能计算，其超过32%的产能将用于最先进的1c DRAM。
此外，SK海力士还将同步扩产1b DRAM，用于预计在2026年向NVIDIA供货的第六代高带宽存储器（HBM4）。据传，SK海力士将在2025年底启用的M15X工厂内，导入每月可投入6万片晶圆的1b DRAM产线。
值得注意的是，SK海力士的1c DRAM并非用于HBM，而是专注于DDR5、LPDDR和GDDR7等最新通用DRAM的制造。这一战略调整被认为与AI存储器产业的变化密切相关。SK海力士判断，AI的重心正从需要高效能存储器的“训练”转向“推论”，而AI推论主要依赖通用DRAM。
例如，NVIDIA最近推出的AI加速器Rubin CPX搭载的是GDDR而非HBM。此外，Google、OpenAI和亚马逊AWS等开发自家AI芯片的科技巨头，也在研发大量搭载通用DRAM的定制化AI加速器。SK海力士的1c DRAM还将用于向NVIDIA供应的SOCAMM2存储器模块。据传，NVIDIA计划在其自研CPU Vera中搭载SOCAMM2，若计划顺利推进，SK海力士有望获得可观订单。
