据Syracuse和Tom’s Hardware综合报道，美国存储器巨头美光（Micron）对其位于纽约克莱（Clay）的晶圆厂建设计划进行了重大调整。根据美光最新发布的环境影响报告（EIS），其首座晶圆厂（Fab 1）原定于2025年底动工、2028年投产，但现已被推迟至2026年中动工，并预计在2030年底才能正式投产，较原计划延后了2至3年。
这一延迟也直接影响了后续晶圆厂的建设时间表。Fab 2的竣工时间从原定的2030年推迟至2033年底，而Fab 3和Fab 4的建设计划则分别顺延至2035年和2041年左右完成。整个克莱厂区预计要到2045年才能全面投产。此外，相关配套设施和员工招聘计划也同步延后。例如，员工托儿中心的启用时间从2028年初推迟至2030年底，约4,500名员工的招募计划也因此受到影响。
美光在报告中未明确说明延迟原因，但文件提到，公司与美国商务部重新调整了《芯片与科学法案》（CHIPS）的补助协议。根据新协议，美光将优先建设位于爱达荷州波夕（Boise）的新晶圆厂，以支持高带宽存储器（HBM）及其他新一代产品的研发。为此，美光将约12亿美元的联邦补助从纽约项目转移至爱达荷项目，使得纽约项目获得的资金从46亿美元降至34亿美元。
当地官员表示，大型晶圆厂的建设通常需要大量的协调和审批工作，且面临劳动力短缺和工期延长等问题，因此时间表的调整在业内并不罕见。尽管如此，美光仍维持其在克莱地区建设4座晶圆厂、实现40% DRAM产能本土化的长期目标不变。
