据韩媒ZDNet Korea援引业界消息，长鑫存储计划于明年上半年实现第四代高带宽存储器（HBM3）的量产，将采用MR-MUF（大规模回流模塑底部填充）封装技术。目前，其已运用该技术完成HBM3的样品制作。
当前，MR-MUF技术主要由SK海力士采用，其优势在于能够支持16层及以上的高堆叠制程。具体来看，MR-MUF技术的应用流程为：在逐层堆叠动态随机存取存储器（DRAM）时，先通过热能进行临时接合；待堆叠工作全部完成后，再次加热以实现最终接合，随后涂布液态环氧塑封料（EMC）。
与之不同的是，三星电子与美光采用的是绝缘膜（NCF）技术，该技术通过逐层插入NCF并施加高温高压，使NCF在高温环境下融化，进而实现凸点（bump）与芯片之间的连接及固定。
业界分析指出，长鑫存储原本同时评估MR-MUF与NCF两种HBM封装技术，但在HBM3研发阶段最终选择了MR-MUF技术。不过，目前长鑫存储HBM3的量产良率仍明显低于主要竞争对手。从现有数据来看，其16纳米级G4制程DRAM在常规产品中的良率约为70%，但在HBM复杂的后段制程中，良率出现明显下降。
TechInsights副总裁崔正东透露，长鑫存储自2024年起便已在内部探讨引入MR-MUF技术，但要在2026年上半年将HBM3的良率提升至40%以上，仍面临不小的挑战，实际量产时间有可能推迟至2026年底。
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