据韩媒ET News报道，高带宽存储器（HBM）市场可能迎来新变化。三星电子凭借其第六代DRAM（1c DRAM）技术，在HBM4领域追赶上技术差距，与SK海力士形成“HBM两强格局”，而美光则可能面临挑战。
NVIDIA预计将在2025年11月中旬完成对SK海力士、三星和美光的HBM4效能评估。鉴于NVIDIA占据全球AI芯片市场约90%的份额，HBM4将搭载于2026年下半年推出的NVIDIA产品Rubin上，因此能否通过评估将直接影响存储器厂商的市场表现。
SK海力士和三星在2025年第三季度财报中透露，由于需求激增，2026年的DRAM和NAND Flash产能已全部售罄，且HBM供应协商已完成，正加速筹备出货。尽管未明确提及具体客户和产品细节，但韩媒普遍认为，SK海力士和三星所称的“完售”和“准备完毕”主要指向NVIDIA的供货。
在HBM3E市场，三星曾因技术问题落后于SK海力士和美光，但通过从第四代10纳米级DRAM（1a DRAM）到1c DRAM的全面设计调整，三星在HBM4时代成功追赶。目前，三星HBM4的良率已提升至约50%，较初期的HBM3E大幅改善。NVIDIA也在相关数据中将三星列为HBM3E和HBM4的核心合作伙伴。
韩媒Newdaily援引广发证券消息指出，美光的HBM4未能满足NVIDIA的数据传输速度要求，正重新设计产品结构，可能导致其HBM4出货推迟至2027年。韩国业界预测，2026年三星的HBM出货量将至少同比增长2.5倍，进一步改变市场格局。
