据媒体报道，存储器大厂华邦电在2025年第三季度实现亮眼业绩，总经理陈沛铭表示，存储器技术的迭代更新引发结构性供需失衡。部分客户正寻求签订长达6年的DDR4长期合约，预计这一结构性变化将持续到2027年。
华邦电计划投入400亿元新台币扩充DRAM及Flash产能，其中高雄厂预计一年后位元供应量将实现倍增。受益于存储器售价回升及库存评价回冲，华邦电第三季度产能利用率接近满载，业绩弥补了2025年上半年的亏损。展望第四季度，公司预计营收、出货量和平均价格（ASP）将迎来更大增长，整体营运将回归正常成长轨道。
在具体业务方面，华邦电第三季度DRAM（CMS）业务表现突出，创下三年新高，环比增长18%，同比增长33%，ASP平均上涨14%~16%。20纳米制程产品占比提升至37%，逐步取代25/25S纳米。Flash（NFlash/NOR Flash）业务环比增长4.2%，但同比下滑5.8%，主要因后段生产仍面临挑战，成品库存几乎耗尽，半成品库存较多，ASP价格约上涨4%~6%。
陈沛铭指出，华邦电最新的45纳米NOR Flash制程已导入多项设计案，主要应用于蓝牙耳机和穿戴设备。SLC NAND方面，随着其他存储器大厂转移生产重心，华邦电已成为SLC NAND的重要供应商，该业务年增长超过20%，预计未来价格将继续上涨。
当前存储器市场正经历重大结构性变革。陈沛铭表示，三大原厂制程升级至14纳米后，必须内建ECC（纠错码）以补偿机制差异。由于DDR3及DDR4过去未要求内建ECC，产线已无法回头生产DDR4，导致供给端出现结构性变化。需求增长主要来自智能家庭、无人机、M2M、网通及消费性电视产品等领域。
华邦电观察到客户需求稳定，长约谈判活跃。由于众多客户的系统单芯片（SoC）仍采用22纳米或14纳米制程，短期内难以升级至DDR5。服务器领域目前仍以DDR4为主，未来可能转向DDR5，但预计需要2~3年时间。DDR5的价格涨势预计延续至2026年。
在产能方面，华邦电新一代16纳米制程已启动量产准备，首波推出8Gb DDR4与LPDDR4产品，预计2026年良率将稳定提升，主要应用于车用、网通及边缘装置等利基市场。此外，华邦电的CUBE项目进展顺利，预计在2027年带来显著贡献。
华邦电董事会已通过约355亿元新台币的资本支出计划，主要用于高雄厂DRAM产能扩充，主力制程为16纳米，规划月产能将从目前的1.4万片增至2.4万~2.5万片，片数提升约6成。同时，台中厂Flash产能预计增加20%，总计投入400亿元进行产能扩充。
