日前，长鑫存储在其官网正式推出LPDDR5X产品，这一发布正值全球存储器价格持续上涨之际，市场对其能否借此进军高端领域并扩大市场份额充满期待。
据市调机构Counterpoint预测，长鑫存储DDR5的市占率将在2025年底从年初的1%提升至7%，而LPDDR5的市占率也将从第一季度的0.5%增长至年底的约9%。长鑫存储自2023年底推出LPDDR5以来，已在国内市场实现零的突破，并于2025年正式商用DDR5产品，同时启动IPO辅导程序，计划通过上市融资增加先进存储器产线。
官网信息显示，长鑫存储的LPDDR5/5X为第五代低功耗双倍速率DRAM，提供12Gb和16Gb两种单颗粒容量，最高速率可达10667Mbps，较前代LPDDR5提升66%，功耗降低30%，并支持LPDDR5回溯兼容。目前，LPDDR5X 8533Mbps与9600Mbps版本已于2025年5月量产，10667Mbps版本正在进行客户送样。
据综合IT之家、观察者网及长鑫存储官网消息，长鑫存储在IEEE 2025 ASICON会议上分享了LPDDR5X产品的最新进展。该产品涵盖颗粒、芯片与模块多种形态，其中颗粒分为12Gb与16Gb两类，模块LPCAMM产品容量达16GB与32GB，芯片形态则提供12GB、16GB、24GB等多个容量点的解决方案。
值得一提的是，长鑫存储首创了uPoP小型封装技术，专为高端移动设备轻薄化设计，主打高频低功耗与高速数据传输，目标市场为旗舰智能手机与便携式AI终端。
当前，全球LPDDR5X市场由三星、SK海力士与美光三强主导。三星于2024年推出的LPDDR5X采用12纳米级DRAM制程与4堆叠、x2结构设计，支持12GB及16GB容量，主攻AI手机、平板与笔记本市场。美光则在2025年6月推出采用1γ节点与先进极紫外光（EUV）曝光技术的LPDDR5X认证样品，速率达10.7Gbps，功耗降低20%，封装厚度缩小至0.61mm，较前代产品降低14%。
此外，长鑫存储还积极布局高带宽存储器（HBM）领域。据业界消息，该公司已向客户提供16纳米制程的HBM3样品，为2026年量产做准备，并计划于2027年完成HBM3E开发。目前，长鑫正在上海建设HBM后段封测厂，预计2026年底投产，将通过技术转让与外包合作扩充产能。业界预估，若计划顺利，长鑫存储至2026年有望使全球DRAM市占率提升至15%。
