10月29日，SK 海力士（SK Hynix）披露2025年第3季度财报。该季度公司营收24.4489万亿韩元，同比增长39%、环比增长10%；营业利润11.3834万亿韩元，同比增长62%、环比增长24%；营业利润率47%，同比增长7%、环比增长6%；净利润12.5975万亿韩元，同比暴涨119%、环比暴涨80%；净利润率52%。
SK 海力士表示，随着客户对人工智能基础设施的投资不断扩大，存储领域整体需求迎来快速增长。公司凭借12Hi HBM3E（高带宽内存）和服务器用DDR5等高附加值产品的销售额增长，业绩再次创历史新高。
在法说会上，SK 海力士指出，全球存储器市场已进入“超级周期”，AI应用的全面渗透正推动存储需求全面上升。公司预测，到2026年整体服务器出货量将增长15%~20%，而HBM、DRAM、NAND产能几乎全部售罄。
尽管HBM在其DRAM出货量中占比仅20%，但贡献了超过一半的营业利润，成为公司最关键的盈利引擎。SK 海力士透露，HBM市场供给紧张的局面将持续至2027年，未来5年该业务年均增长率将保持在30%以上。
自2023年以来，HBM产品始终处于供不应求状态，价格也维持在高位运行。SK 海力士已完成HBM4的量产体系搭建，预计2025年第四季度正式启动出货，并于2026年进一步扩大销售规模。
为紧抓“超级周期”下的市场机遇，SK 海力士正全力推进产能扩充计划。清州M15X工厂已提前引入首批生产设备，预计从2026年起正式为HBM生产提供支持；同时龙仁一厂的建设也有望提前竣工，进一步提升高端存储产品的供给能力。
产品结构优化同步进行，SK 海力士计划将一般DRAM和NAND的产能向先进制程转移。其中，2024年完成开发的第六代DRAM（1c DRAM）预计在2026年扩大生产规模，目标是到2026年底将其产能提升至韩国一般DRAM产能的一半以上；NAND方面，公司将重点增加TLC、QLC 及 321 层产品的市场供应。
受HBM生产比重扩大影响，一般存储器产品出现供给短缺现象。对此，市场反应积极，越来越多客户希望与 SK 海力士签订一般存储器长期合约，部分客户甚至已为2026年的产品提前下单，应对当前的供给短缺局面。
SK 海力士法说会核心要点：
● 存储器市场进入“超级周期”，AI应用带动需求全面上升，2026年服务器出货量预计增长15%~20%；
● HBM供给紧张态势将延续至2027年，未来5年的年均增长率超30%；
● HBM4已完成量产准备，2025年Q4出货、2026年扩大销售，技术与产能双重领先；
● 2026年HBM、DRAM、NAND产能近乎“全数售罄”，市场需求持续旺盛；
● 加速清州M15X、龙仁一厂产能建设，2026年起重点支持HBM生产，同步优化DRAM、NAND产品结构。
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