据业界消息，长鑫存储已向包括华为在内的国内客户交付16纳米制程的HBM3样品，预计2026年实现全面量产。尽管在良率和成本竞争力方面仍有提升空间，但有消息显示，其产品良率表现已接近三星电子水平。
长鑫存储在2024年成功量产DDR5 DRAM后，通过光罩修改优化（解决初期宽温及散热问题）后，2025年下半年平均良率已突破80%，接近市场主流规格标准。该DDR5产品跳过17nm（D1y）节点直接采用16nm（D1z）节点，性能可对标三星K4X8G325EB，带宽达6400Mbps。
为突破产能瓶颈，长鑫存储采取 "核心技术自研 + 基础产能代工" 的创新策略，通过与合肥晶合（由合肥官方与力晶等联合投资）合作转移基础芯片生产，大幅释放内部DRAM产能。
据Trendforce数据预测，2025年长鑫存储合肥与北京工厂总产能将从23万片/月提升-28万片/月，2026年有望进一步攀升至29万-30万片/月，全球DRAM市场占有率预计将提升至15%，2026年营收同比增幅或超60%。
在HBM这一AI核心存储赛道，除已交付的16nm HBM3样品外，长鑫存储上海HBM后段封装厂预计2026年底投产，并计划2027年完成HBM3E开发。其整体进度落后SK海力士（SK Hynix）等国际厂商3至4年。
值得注意的是，长鑫存储于2024年7月启动上市辅导备案，并于10月上旬完成证监会“辅导验收”状态更新。市场预计其最快2026年第一季度完成IPO，计划筹资200亿至400亿元，有望成为 "存储芯片第一股"。
此前，长鑫存储在2024年3月完成百亿元融资后，估值已达到人民币1,508亿元，并于近期完成新一轮D+轮融资。在存储器供需紧张与国产供应链自主化双重利好推动下，其IPO估值有望突破3,000亿元。
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