据联电官方消息，晶圆代工厂联电近期推出全新的55纳米BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）平台，专为满足电子产品日益复杂的电源管理需求而设计。该平台适用于下一代移动设备、消费性电子、车用电子及工业应用，能够显著提升电源效率和系统整合能力。
联电指出，BCD技术可在单一芯片上整合模拟、数字及电力元件，广泛用于电源管理与混合信号IC。其55纳米BCD平台提供多元化的电源IC解决方案，可满足不同应用领域对性能和可靠性的需求。
该平台涵盖三大制程技术。首先是非外延（Non-EPI）制程，以独特的元件架构提供高性价比方案，为移动设备和消费性电子提供卓越的电源效率和性能。其次是外延（EPI）制程，符合车规AEC-Q100 Grade 0标准，支持高达150V的工作电压，显著提升极端环境下车用电子的可靠性。最后是绝缘层上覆硅（SOI）制程，符合车规AEC-Q100 Grade 1标准，适合高端车用与工业应用。
此外，该平台还可整合超厚金属层（UTM）、嵌入式闪存（eFlash）及电阻式随机存取存储器（RRAM）等技术，进一步提升产品性能。
联电技术研发副总经理徐世杰表示，55纳米BCD平台的推出标志着联电在BCD技术布局上的重要进展，进一步完善了公司的特殊制程产品组合，并强化了其在电源管理市场的竞争优势。
目前，联电已构建起完整且成熟的BCD技术组合，制程节点覆盖0.35微米、0.25微米、0.18微米、0.11微米以及55纳米，为客户提供差异化解决方案。
