10月22日，据IDTechEX发布的最新预测报告显示，随着电动汽车市场份额不断扩大，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等高性能功率半导体在汽车领域的应用日益普及。预计到2036年，车用功率半导体市场规模将增长三倍，达到420亿美元。
报告指出，三年前，电动车采用SiC MOSFET还是一种卖点，但如今已非常普遍，甚至插电混动车（PHEV）也开始使用。例如，Toyota和Schaeffler均宣布推出面向PHEV车型的SiC MOSFET，这标志着碳化硅技术进入成熟阶段。
碳化硅晶圆市场竞争激烈，许多公司已开始量产200毫米晶圆。Wolfspeed和英飞凌（Infineon）已实现量产，并成为车企如小米、理想的主要供应商，进一步推动碳化硅成为市场主流。即使是纯电里程较低的PHEV车型，也开始采用SiC技术。
紧随碳化硅之后，氮化镓也逐渐崭露头角。目前，基于氮化镓的快充设备已广泛应用，其高功率、高电压特性为电动车市场带来了新机遇。长安汽车计划在2027年推出搭载氮化镓车载充电器的新车型，由Navitas提供元件，功率密度可达每升6kW，远高于当前主流的每升2kW。
IDTechEX分析师认为，氮化镓初期将主要用于车载充电和直流变压器，未来恩智浦（NXP）和VisIC等厂商还将开发氮化镓驱动逆变器，有望部分取代硅基和碳化硅逆变器。
考虑到成本、开发周期和量产规模等因素，未来几年，车用功率半导体可能会采用Si IGBT、SiC MOSFET和GaN HEMT并联的混合配置，以满足不同负载需求。对于成本敏感度较低的产品，全面采用碳化硅逆变器将是高效选择。在氮化镓实现更大规模商业化之前，碳化硅市场的快速增长已成为可预见的趋势。
