台积电推出的CoWoS-R技术是CoWoS系列的一种衍生型，主要通过重分布层（RDL）中介层替代传统的矽中介层（Si Interposer），从而实现异质整合的先进封装。据业内人士介绍，这种技术采用了有机材质中介层的概念，能够显著提升封装性能。
CoWoS-R技术利用RDL层实现系统单芯片（SoC）与高带宽存储器（HBM）之间的高效互连，不仅具备高带宽和可扩展性，还能通过聚合物与铜线构成的RDL中介层吸收SoC与基板之间的热膨胀系数（CTE）差异。这一设计有效降低了C4焊点的应力，进一步提升了封装的可靠性。根据台积电2025年公开数据，CoWoS-R技术的最小线宽/线距可达2μm/2μm（间距4μm），支持高密度布线和高速信号传输。其电气特性表现出低RC值，同时具备优异的信号与电源完整性。
相比CoWoS-S，CoWoS-R在成本和封装尺寸方面更具优势，特别适合应用于大型AI高效运算（HPC）芯片和数据中心领域。此外，CoWoS家族还包括采用“矽桥”概念的CoWoS-L技术。
