据业界10月14日消息，三星电子正与旗下半导体设备子公司Semes加强合作，计划将混合键合技术应用于下一代高带宽存储器（HBM4）的封装制程。三星的目标是在2025年内实现HBM4的量产，通过引入新型键合技术突破现有技术限制，这被视为其关键策略之一。
混合键合技术被认为是次世代HBM封装的核心方向，相较于传统的热压技术，它能够提供更高的性能和效率。然而，由于该技术对芯片对位精度要求极高，稍有误差可能导致接合不良，影响良率，因此仍面临诸多技术挑战。
SK海力士则选择以稳定性为优先，在HBM4阶段继续采用现有的MR-MUF技术，预计从HBM4E开始全面转向混合键合。而美光则采取灵活策略，计划根据客户需求提供定制化设计合作。
据业界预测，混合键合市场规模到2028年有望达到2~3万亿韩元（约合14亿~21亿美元）。随着三大DRAM厂商的HBM月产能预计将从目前的40万片增至2028年的70万片，混合键合设备的需求也将大幅增长。若一半以上的产能转向混合键合，新型键合机的需求可能超过700台，每台设备价格约40亿韩元，市场潜力巨大。
在设备厂商的竞争中，荷兰BESI凭借在逻辑芯片领域的经验处于领先地位；新加坡ASMPT计划于2025年下半年推出第二代混合键合设备；韩国方面，韩华Semitech与SK海力士合作，已取得积极进展，而韩美半导体则倾向于与美光合作。
业界高度关注三星能否在HBM4量产前完成混合键合技术的稳定化。若能实现，HBM市场格局或将迎来重大变化。
