据Tom's Hardware和CNews援引俄罗斯电脑数据科学博士Dmitrii Kuznetsov在X平台上的发文，俄罗斯科学院微结构物理研究所（IMPRAS）近日公布了自研极紫外光（EUV）曝光设备的长期研发蓝图。该计划旨在开发基于11.2纳米波长的EUV设备，以绕过西方技术封锁，推动芯片制造自给自足。
俄罗斯的EUV设备开发计划分为三个阶段，时间跨度从2026年至2037年，目标覆盖40纳米到小于10纳米制程技术。与荷兰ASML的EUV设备不同，俄罗斯方案采用了混合固态激光、氙气等离子光源以及钌/铍（Ru/Be）反射镜，旨在简化系统结构并降低维护成本。
第一阶段为2026至2028年，目标开发支持40纳米制程的系统原型，采用双镜光学设计，套准精度为10纳米，曝光范围3x3mm，每小时可处理5片晶圆。第二阶段（2029-2032年）将升级至4镜设计，支持28纳米制程并扩展至14纳米，套准精度提升至5纳米，曝光效率达到每小时50片晶圆。第三阶段（2033-2036年）计划推进至小于10纳米制程，采用6镜配置，套准精度达2纳米，曝光范围扩展至26x2mm，每小时处理100片晶圆。
尽管俄罗斯的计划目标明确，但其技术可行性仍面临诸多挑战。例如，11.2纳米波长为非业界标准，需重新设计光学系统、激光光源、反射镜抛光设备和光刻胶等基础元件。此外，目前尚无证据表明俄罗斯具备量产EUV关键组件的能力。
分析指出，若该计划部分实现，可能为非ASML阵营国家提供中高端制程的替代方案，但其实际落地仍存在高度不确定性。
