据韩媒综合报道，三星电子的12层第五代高频宽存储（HBM3E）产品已通过英伟达的质量测试，即将开始供货。这表明该技术将成为英伟达最强大的人工智能加速器的重要供应来源。
业内消息人士透露，三星完成这款芯片的开发已历时18个月，期间多次测试未能满足英伟达的严苛性能要求。目前，三星的HBM3E不仅通过了AMD MI350的测试，还可与英伟达的新款B300 Blackwell Ultra GPU搭配使用。不过，由于英伟达此前已转向SK海力士和美光寻求HBM3E供应，预计三星从英伟达获得的订单量相对较少。
对三星而言，此次供货的意义更多在于技术认可，而非单纯收入增长。这标志着三星的技术能力重回正轨，为其未来在HBM4市场的竞争奠定了基础。据悉，HBM4作为第六代高频宽存储，将应用于英伟达计划明年推出的新Vera Rubin架构芯片上。
英伟达对HBM4的性能提出了极高要求，数据传输速度需超过每秒10Gb，远高于当前8Gb的行业标准。消息人士透露，三星已成功实现11Gbps的传输速度，领先SK海力士的10Gbps，而美光科技则难以达到这一标准。三星的突破得益于其1c DRAM技术和4nm逻辑芯片的结合，这使其成为首家在HBM4上实现11Gbps速度的公司。
此外，HBM4的潜在客户不仅限于英伟达，还可能扩展至AMD、博通和Google等企业。三星计划本月向英伟达大量出货HBM4样品，争取尽早获得认证。三星此前表示，正与英伟达、博通及Google等主要AI芯片厂商洽谈HBM4合作，预计最快可在2026年上半年实现大规模出货。
若能在HBM4的竞争中抢占先机，三星有望在这一关键存储市场中重新夺回市场份额。
