韩国晶圆代工厂DB Hitek近日宣布，成功完成次世代电力半导体650V E-Mode GaN HEMT制程的开发，并计划于2025年10月底推出适用于产品试产的氮化镓（GaN）专用多项目晶圆（MPW）服务。这一进展标志着DB Hitek在电力半导体领域的技术实力进一步增强。
据韩联社、Ddaily等韩媒援引市调机构Yole Development数据显示，全球GaN市场规模预计将在2025年达到5.3亿美元，并在2029年增长至20.13亿美元，年均复合增长率（CAGR）约为40%。作为次世代电力半导体的核心材料之一，GaN凭借其耐高压、高频、高温及高效率的特性，正迅速取代传统硅基产品，在电动车（EV）、AI数据中心、高速充电、5G通信及机器人等新兴领域展现出巨大的市场潜力。
DB Hitek此次开发的650V E-Mode GaN HEMT制程，以高速切换和稳定性为核心优势，特别适用于电动车充电器、数据中心电力转换器以及5G通信设备等高端应用场景。自2022年起，DB Hitek便将GaN和碳化硅（SiC）等化合物半导体列为重点发展方向，并持续加大研发投入。
未来，DB Hitek计划以650V GaN HEMT制程为基础，逐步扩展产品线。预计到2026年底，将推出200V和650V可设计为IC形式的GaN制程，并根据市场需求，进一步覆盖更广的电压范围。此外，为满足不断增长的订单需求，DB Hitek正在韩国忠清北道扩建新的无尘室。项目完成后，每月将新增约3.5万片8英寸晶圆产能，涵盖GaN、BCDMOS、SiC等多种电力半导体产品，总产能将从目前的15.4万片提升至19万片，增幅达23%。
DB Hitek表示，公司在硅基电力半导体领域已具备全球竞争力，曾率先推出0.18μm BCDMOS制程。此次GaN制程的成功开发，将进一步巩固其在电力半导体晶圆代工市场的领先地位。
