长鑫存储在高带宽存储器（HBM）领域的研发和生产进展迅速。
据韩媒Business Post援引市调机构SemiAnalysis报告称，长鑫存储有望在2026年实现第五代HBM3E的量产。这一时间点比业界此前预期的2027年提前了一年。
目前，SK海力士和三星已分别在2024年第一季度和第三季度启动HBM3E的量产。若长鑫存储能在2026年实现量产，与韩国厂商的技术差距将缩小至仅两年。此外，长鑫存储在DDR5 DRAM和低功耗LPDDR5X等领域的技术能力已与韩国厂商基本持平，进一步巩固了其在DRAM市场的竞争力。
然而，美国对中国半导体行业的制裁，特别是高端HBM技术的出口限制，可能对国内AI发展造成一定阻碍。
业界分析认为，国内正通过多种方式突破限制，包括游说放宽出口管制、加大自主研发投入，以及通过第三方渠道获取关键设备。例如，长鑫存储已从日企获得矽穿孔（TSV）相关先进设备，弥补了热压键合机（TC Bonder）的不足。
SemiAnalysis预测，若中国能顺利获得足够的HBM，华为自研AI芯片昇腾（Ascend）的产量将显著提升。在HBM受限的情况下，华为2025年仅能生产约80.5万颗昇腾芯片；若限制解除，产量可能提升至117.5万颗，甚至在2026年达到500万颗。
当前，韩国厂商占据全球HBM市场约80%的份额，但国内正加快追赶步伐。
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