2025年9月4日，中国无锡——在第十三届半导体设备与核心部件及材料展（CSEAC 2025）上，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”）重磅推出六款半导体设备新品，覆盖等离子体刻蚀、原子层沉积及外延等关键技术领域。
据中微公司董事长兼总经理尹志尧博士在开幕式主旨报告中介绍，公司始终以市场需求为导向，持续加大研发投入。2025年上半年，中微公司研发投入达14.92亿元，同比增长53.70%，占营业收入比例约30.07%，远超科创板上市公司10%-15%的平均水平。目前，公司在研项目涵盖六大类、超二十款新设备，研发周期从过去的3-5年缩短至2年甚至更短，为市场提供了更具竞争力的产品。
尹志尧博士在开幕式上做主旨报告
刻蚀技术突破：两款新品助力高端制造
在刻蚀技术领域，中微公司此次发布了两款新品，分别针对极高深宽比刻蚀和金属刻蚀应用。Primo UD-RIE®是一款新一代极高深宽比等离子体刻蚀设备，基于成熟的Primo HD-RIE®架构全面升级，配备六个单反应台反应腔，通过更高功率射频偏压电源提供更强离子轰击能量，满足了极高深宽比刻蚀的严苛需求。
此外，Primo UD-RIE®还引入了多项创新技术，如动态边缘阻抗调节系统和多区温控系统，显著提升了晶圆边缘刻蚀的垂直性和设备稳定性。另一款新品Primo Menova™ 12寸ICP单腔刻蚀设备专注于金属刻蚀，尤其擅长金属Al线和Al块刻蚀，适用于功率半导体、存储器件及先进逻辑芯片制造。其高效腔体清洁工艺和高温水蒸气除胶腔室设计，确保了高生产效率和良率。
中微公司Primo UD-RIE®
中微公司Primo Menova™
薄膜沉积布局：Preforma Uniflash® 系列填补技术空白
在薄膜沉积领域，中微公司推出了12英寸原子层沉积产品Preforma Uniflash®金属栅系列，涵盖TiN、TiAI和TaN三大产品，满足先进逻辑与存储器件的金属栅应用需求。该系列采用双反应台设计，可灵活配置多达五个双反应台反应腔，结合多级匀气混气系统和高效原子层沉积反应腔设计，实现了薄膜均一性、污染物控制及生产效率的全面提升。
中微公司Preforma Uniflash® 金属栅系列
外延设备创新：PRIMIO Epita® RP引领行业新方向
中微公司还发布了全球首款双腔减压外延设备PRIMIO Epita® RP，凭借其独特的双腔设计和最小反应腔体积，显著降低了生产成本与化学品消耗，同时实现了高生产效率。该设备已进入客户验证阶段，进展顺利，并将拓展至更多应用领域。
中微公司PRIMIO Epita® RP
