据报道，随着电动车、AI服务器和储能市场的快速发展，碳化硅（SiC）作为第三代半导体核心材料，正迎来需求高峰。格棋化合物半导体近日宣布，公司将于第四季度正式进入兴柜市场，并通过技术创新与产能扩张，进一步深化其全球布局。
格棋化合物半导体目前已实现6英寸碳化硅晶圆的稳定量产，同时完成了8英寸制程的前期验证，预计年底将实现量产。公司董事长张忠杰指出，6英寸晶圆在良率和规模效益上仍具优势，而8英寸晶圆将根据客户需求逐步导入，以确保品质与成本的平衡。
为满足市场需求，格棋已投资建设了一座万坪的新工厂，并将长晶炉扩充至百台规模。其产品广泛应用于电动车、光伏逆变器以及AI服务器领域，并已通过多家国际大厂的验证。此外，公司还推动“虚拟IDM”模式，整合供应链资源，加速去中化进程，并启动了与北美、日本及欧洲市场的合作计划。
