据The Register报道，美国半导体制造商格罗方德（GF）与Cirrus Logic达成全新合作，双方将结合各自的设计与制造优势，共同开发下一代双极性-CMOS-DMOS（BCD）和氮化镓（GaN）元件。这些元件预计将在格罗方德位于纽约及佛蒙特州的工厂进行生产。
Cirrus Logic总裁兼CEO John Forsyth表示，此次合作将推动先进混合信号芯片的本地化制造。BCD技术最早由意法半导体（STM）于1985年研发，广泛应用于汽车、音讯及工业领域的高压驱动元件。通过在纽约量产新一代BCD元件，Cirrus Logic希望帮助客户规避进口关税和政策风险。
格罗方德CEO Tim Breen强调，此次合作不仅强化了美国的制造能力，还凸显了供应链多元化的重要性。双方还计划共同推进氮化镓技术的研发，进一步提升格罗方德在能源和高效能应用领域的市场竞争力。
近年来，美国政府对科技进口的监管力度不断加大，甚至威胁对某些技术征收100%关税。业内人士认为，此次合作是两家公司响应政策号召的表现，既满足了美国政府对本地制造能力提升的要求，也有助于降低供应链风险。
Cirrus Logic成立于1981年，1998年将总部迁至德州奥斯汀，曾推出多款音效、绘图及基带芯片。近年来，公司逐步剥离GPU、磁盘存储、无线网络等非核心业务，专注于手机、汽车及穿戴设备的音效和触觉反馈芯片。
目前，双方尚未透露量产时间表，也未明确是否会以溢价方式销售美国本土制造的BCD和氮化镓芯片。分析师指出，合作能否顺利推进，仍需视政策环境和市场需求而定。
