近日，印度官方发布消息，在印度半导体计划（ISM）框架下新增批准4个半导体项目，总投资约460亿卢比（约合37.77亿元人民币）。这使得ISM项目总数从6个增加至10个。据披露，其中包含印度首座商业化合物半导体晶圆厂。
该晶圆厂由印度SiCSem公司与英国Clas-SiC合作建设，选址于奥里萨邦首府布巴内斯瓦尔的“信息谷”。工厂将专注于碳化硅（SiC）晶圆及器件生产，年产能预计达6万片晶圆和9600万个器件。产品将广泛应用于电动汽车、国防装备、铁路、快充桩及光伏逆变器等领域。
此外，新增项目还包括一座先进封装与玻璃基板工厂，位于奥里萨邦的3D Glass Solutions工厂。该项目投资194.3亿卢比，引入全球领先的3D异构集成（3DHI）技术和玻璃中介层工艺。规划年产能为69,600片玻璃基板、13,200个3DHI模块及5000万个组装单元，主要服务于国防、人工智能、射频通信及光子集成等高端领域。
截至目前，印度ISM框架下的项目总数已增至10个，累计投资突破1.6万亿卢比（约192亿美元），覆盖半导体制造、封装测试及化合物半导体等多个领域。印度政府通过生产关联激励（PLI）计划提供资金支持，旨在吸引国际技术合作，推动本土产业链发展。
印度当前90%的芯片依赖进口，此次项目聚焦碳化硅、先进封装等关键领域，目标是减少对海外供应链的依赖，增强自身产业链韧性。首座碳化硅晶圆厂的建设，将助力印度进入第三代半导体制造领域，提升其在人工智能、5G通信等新兴市场中的竞争力。
