晶越半导体成功研制12英寸SiC晶锭

近日，晶越半导体宣布成功研制出高品质12英寸碳化硅（SiC）晶锭。据晶越半导体官微消息，这一成果是在2025年上半年成功量产8英寸碳化硅衬底后取得的。公司在热场设计、籽晶粘接、厚度提升以及缺陷控制等方面持续优化工艺，为大尺寸碳化硅材料的研发奠定了坚实基础。

公开资料显示，浙江晶越半导体有限公司成立于2020年7月21日，专注于6-8英寸导电型碳化硅衬底材料的研发、生产与销售。作为国内碳化硅材料领域的重要参与者，晶越半导体未来将继续加大研发投入，专注于产品性能提升、良率优化及参数改进，力争成为国内领先的碳化硅材料供应商。

据晶越半导体透露，公司将以此次12英寸SiC晶锭的研制成功为契机，进一步拓展大尺寸碳化硅材料的生产能力，满足市场对高性能半导体材料的迫切需求。