据韩媒ET News报道，韩国检测设备制造商Nextin正联合美国X光检测技术企业，在韩国成立“Nex-ray”公司，共同开发用于下一代高带宽存储器（HBM）混合键合制程的X光检测设备。该技术预计将在2026年正式导入HBM量产线。
HBM采用3D堆叠结构，通过垂直整合多层DRAM和穿硅通孔（TSV）技术实现高速传输与高带宽。随着堆叠密度提升和封装厚度限制，混合键合技术逐渐取代传统微凸块（micro-bump），成为行业新趋势。混合键合不仅能减少微凸块和接触电阻，还显著降低了封装厚度，但对DRAM晶粒间电气接点的对准精度提出了更高要求，误差范围需控制在±0.1~0.5微米之间，比热压键合技术高出10倍以上。
为了满足这一需求，Nextin计划开发基于平行X光束技术的检测设备。该技术不仅能提升分辨率和检测速度，还能大幅减少芯片的辐射暴露量，避免因辐射导致芯片受损。据悉，新设备在23mm×17mm区域内可实现1.3微米的分辨率，远超现有设备在1mm×1mm区域内2微米的分辨率。
Nextin的目标是在2026年前完成设备原型开发，并通过客户品质评估后投入市场。由于该设备将用于HBM量产线的在线检测，预计对营收的贡献潜力巨大。与此同时，三星电子、SK海力士和美光等存储巨头也在积极布局混合键合技术，为未来市场竞争做好准备。
