在第三代半导体材料产业化进程中，碳化硅（SiC）衬底加工技术长期面临高损耗、低效率的问题。近日，国家第三代半导体技术创新中心深圳平台（深圳平湖实验室）宣布在这一领域取得重要突破。该团队自主研发的全自动化激光剥离系统，成功将碳化硅衬底单片切割损耗从传统工艺的280-300微米降至75微米以下，单片成本降低26%，技术水平达到国际先进。
据深圳平湖实验室透露，2024年12月，其新技术研究部实现了激光剥离单片总损耗≤120μm，单片切割时间缩短至30分钟，达到国内领先水平。进一步优化激光剥离机理和工艺参数后，2025年6月，团队将单片总损耗降至≤75μm，切割时间减少至20分钟，单台设备切割效率从60分钟/片提升至20分钟/片。结合智能化产线，产能提升3倍，为规模化生产奠定了坚实基础。此外，该技术已完成三批次小批量验证，良率达到100%。
图源：深圳平湖实验室
