在2025年IEEE电子器件技术大会（ECTC）上，英特尔分享了其在封装领域的最新研究成果。这一大会由IEEE电子封装协会主办，聚焦封装、器件和微电子系统的科研、技术与教育，是国际封装领域的顶级会议。英特尔的封装技术主要围绕三大关键路径展开：提高封装良率、确保供电稳定可靠，以及实现高效的热管理。
在供电方面，英特尔的嵌入式多芯片互连桥接（EMIB）技术已经投入生产。通过突破光罩尺寸限制，EMIB实现了多芯片间的高速互联。此外，EMIB-T通过硅通孔（TSV）技术优化了供电效率，并为集成高速HBM4和基于UCIe标准的芯粒提供了便捷解决方案。
针对良率问题，英特尔正探索高精度、大光罩热压键合（TCB）工艺，以应对封装尺寸增大和多芯片集成复杂度提升的挑战。而在散热方面，英特尔研发了全新的分解式散热器技术及新一代热界面材料，旨在更高效地将热量从热源传递至散热器，从而提升整体散热效率。
随着封装技术的不断进步，半导体行业正迈向更高集成度和更高效能的新阶段。英特尔的创新成果无疑为行业发展提供了重要参考。
