据报道，中微公司于5月27日召开了2024年度及2025年第一季度业绩说明会。会上，董事长兼总经理尹志尧透露了公司在半导体设备领域的最新进展。
尹志尧表示，中微公司在等离子体刻蚀领域已实现全面覆盖，涵盖成熟及先进逻辑器件、闪存、动态存储器和特殊器件等应用，且95%到99%的应用已具备批量生产或客户认证数据。在工艺精度方面，中微的ICP刻蚀机Twin-star实现了皮米级加工精度，达到100皮米以下水平，双台刻蚀机可实现原子、亚原子级别的刻蚀控制，技术达到全球领先水平。目前，业内量产刻蚀机的深宽比多为60:1，而中微公司正突破90到100:1的深孔刻蚀技术。
此外，中微公司自2010年起逐步拓展薄膜设备领域的研发与应用，规划开发近40种导体薄膜沉积设备。目前，已有9种设备完成开发，其中6款已实现量产并投入运行一年，今年计划再完成7种设备的开发。尹志尧表示，中微将尽快完成国际对国内禁运的20多种薄膜设备的开发，预计到2029年完成全部规划。
据尹志尧介绍，中微公司目前可覆盖30%的集成电路设备市场。未来五到十年，中微将与合作伙伴共同覆盖60%的集成电路高端设备市场，涉及刻蚀、薄膜、量检测设备及部分湿法设备，目标是发展为平台型集团公司。
