据韩媒ZDNet Korea援引业界消息，三星电子正计划将其位于韩国华城H1厂区的旧型存储器产线改造为以封装为主的产线。相关设备移转工作预计最快于2025年下半年启动，并可能持续至2027年。
H1厂区内包含12产线和13产线，分别负责生产NAND Flash和DRAM。这两条产线目前主要供应逐渐减少出货量的旧型存储器产品。尽管13产线曾被考虑转型为CMOS影像传感器（CIS）产线，但由于CIS市场表现不佳，计划多次被延后。
由于H1厂区的制造环境相对老旧，即便投入前段制程的资金，也难以升级为生产最新型存储器的产线。与此同时，生产更旧一代DRAM的15产线和16产线正逐步向1b DRAM转型。
三星计划逐步拆除H1厂区内的旧型存储器设备，并引入封装设备。此外，还将小量导入服务器用DRAM等产品制程所需的矽穿孔（TSV）设备。此举被认为有助于提升投资效率，并集中管理分散在周边产线的封装设备。
业内人士透露，三星希望通过这一调整，在整合旧型存储器业务的同时，扩大封装产能。同时，邻近产线也可腾出更多空间，用于先进DRAM的转型投资。
