长飞先进武汉基地一期量产，年产36万片碳化硅晶圆

近日，长飞先进武汉基地一期项目成功实现量产通线，首片6英寸碳化硅晶圆顺利下线。据中国光谷消息，该项目一期占地面积达344亩，总投资80亿元，预计年产36万片6英寸碳化硅晶圆，目标是打造国内碳化硅产能最大的一体化新高地。

长飞先进武汉基地一期自2023年9月1日破土动工，于2024年6月完成主体建筑结构封顶。同年12月，基地迎来首批设备搬入仪式，标志着项目即将进入工艺验证阶段，全面投产进入倒计时。据悉，该基地聚焦第三代半导体功率器件的研发与生产，总投资预计超过200亿元。

碳化硅是第三代半导体材料的典型代表，具有耐高温、耐高压、高频化和低损耗等优势，广泛应用于新能源汽车、风光储、智能电网、数据中心和轨道交通等领域。长飞先进武汉晶圆厂总经理李刚表示，一片6英寸晶圆可分割出数百颗碳化硅芯片，足以满足5台新能源车的需求。基地采用更先进的设备，产品性能将大幅提升，达产后将有效缓解国内新能源汽车高端芯片的供应压力。