基本半导体近日正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，覆盖多个应用领域，性能和封装形式均实现显著提升。据公司介绍，该系列新品包括面向新能源汽车主驱逆变器的1200V/13.5mΩ和750V/10.5mΩ产品、针对光伏和储能领域的1200V/40mΩ产品，以及专为AI算力电源和户储逆变器设计的650V/40mΩ产品。
650V/40mΩ系列产品通过将元胞间距缩小至4.0μm，在低电压等级下实现了更高的性能表现。这一改进将显著提升终端应用的系统效率和高温稳定性，同时降低能量损耗，为新能源领域提供更高效、更经济的功率器件解决方案。
表1 新一代碳化硅MOSFET参数列表
在开关损耗方面，新一代产品表现优异。例如，1200V 13.5mΩ碳化硅MOSFET在常温和高温下的开关损耗Eoff/Etotal均优于国际竞品W\和O\，高温下Eon与W\接近。而650V 40mΩ产品在开关损耗Eoff/Eon/Etotal方面，与国际竞品W\和S\相当。
图1 新一代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET与国际竞品开关损耗对比
图2 新一代650V 40mΩ SiC MOSFET与国际竞品开关损耗对比
基本半导体在封装形式上也进行了全面布局，以满足不同应用场景需求。1200V/13.5mΩ产品提供TO-247-3和TO-247-4封装；1200V/40mΩ产品支持TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7和HSOP8封装；650V/40mΩ产品则覆盖TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7、TOLL和TOLT等多种封装选择。
表2 新一代碳化硅MOSFET产品封装形式
在可靠性方面，基本半导体建立了严格的闭环开发体系，所有产品均通过车规级以上的关键可靠性验证。例如，高温反偏（HTRB）测试在Tj=175℃、VDS=100%BV条件下持续1000小时，结果为PASS；高温高湿反偏（H3TRB）测试在TA=85℃/85%RH、VDS=80%BV条件下同样通过。
封装特性方面，TO-263-7封装体积小巧，源极引脚采用特殊设计，可有效降低损耗与噪声；HSOP8封装具有薄小外形和多引脚布局，配备散热结构；TOLL封装无引脚设计，具有低封装电阻和寄生电感特性；TOLT封装则采用顶部散热结构，适合对热管理要求较高的场景。
新产品的应用领域广泛，包括新能源汽车主驱逆变器、光伏储能系统、充电桩、AI算力电源、微型逆变器等。基本半导体表示，此次推出的新品在导通电阻、开关损耗、热阻等核心参数上已达到行业先进水平，未来公司将继续加大研发投入，推动清洁能源技术发展。
