近期，国内半导体设备领域好消息不断，多家企业在12英寸设备的研发和量产上取得显著进展。涉及企业包括大族半导体、晶驰机电、山西天成、首芯半导体、北方华创、中微公司等。
大族半导体：SiC衬底激光剥离技术取得三大突破
4月25日，大族半导体宣布在8/12英寸SiC衬底激光剥离技术上实现三大突破，包括：突破低电阻率晶锭激光加工瓶颈，实现导电型衬底电阻率需求全覆盖；砂轮损耗降40%+，采用LaserMesh™界面技术精准控制剥离面形貌（粗糙度≤2μm，TTV<10μm），结合界面软化工艺，大幅降低后续减薄成本；全球率先实现12英寸导电/半绝缘晶锭激光剥离量产，为光电子、射频器件降本奠基。
据大族数控（大族半导体母公司）2025年第一季度财报显示，营业总收入达9.6亿元，同比增长27.89%；净利润为1.17亿元，较去年同期激增83.60%。
国内某公司：12英寸多腔多工位CVD设备实现量产
4月中旬，某公司宣布，其自主研发的12英寸多腔多工位CVD设备与8英寸多腔多工位CVD设备成功实现量产。
某公司自2020年起专注于“多腔多Station”CVD设备的自主研发，该架构已成为全球主流厂商布局的下一代CVD技术核心方向。不同于市场上仍普遍采用的“twinchamber”架构，某公司选择了技术门槛更高的“多工艺腔-多Station”模式，以提升沉积路径一致性和厚膜工艺效率，在工艺稳定性、设备兼容性、产线产能提升与成本控制等关键维度，形成显著竞争优势。
晶驰机电：电阻法12寸碳化硅晶体生长设备开发成功
近期，晶驰机电宣布，其成功开发出电阻法12寸碳化硅晶体生长设备。该设备采用电阻式物理气相传输（PVT）方法，通过创新的结构和热场设计，结合先进的过程控制理论和自动化控制方法，实现了均匀的径向温度和宽范围精准可调的轴向温度梯度。晶锭形态完美，表面微凸度精准控制在2.4mm以内，成功突破同一炉台多尺寸生长技术壁垒，实现了同一台设备既可稳定量产八寸碳化硅单晶，又完全具备生长十二寸碳化硅单晶的能力。
晶驰机电成立于2021年7月，总部与研发中心位于杭州市浙江大学杭州国际科创中心。据悉，今年1月，晶驰机电开发的8英寸碳化硅电阻式长晶炉通过客户验证，并正式开启了小批量交付；另外，其自主研发的“全自动碳化硅腐蚀清洗设备”成功交付海外客户。
山西天成：12英寸碳化硅长晶炉计划Q3投放市场
近期，山西天成科技副总经理透露，该公司自主研发的12英寸碳化硅长晶炉已进入炉体组装和工艺调试阶段，计划于2025年第三季度投放市场。
公开资料显示，山西天成于2021年8月成立，该公司的技术研发和生产涉及碳化硅粉料合成、装备设计等制造全流程，形成了碳化硅衬底材料生产的优势闭环。2023年11月，山西天成通过PVT长晶法，开发出了“TSD”密度为零和BPD密度低至32个/cm2的6英寸导电型4H-SiC单晶衬底制备。2024年，该公司还实现了8寸SiC单晶技术研发突破，开发出了直径为202mm的8寸SiC单晶，各项参数指标良好。
江苏天晶智能：12英寸碳化硅超硬材料超高速多线切割机发布
4月8日，江苏天晶智能装备有限公司（以下简称“天晶智能”）在12英寸碳化硅（SiC）切割设备领域实现重大技术突破，正式推出TJ320型超高速多线切割机。
这款设备集成了自主研发的超高速伺服张力控制系统和金刚石线循环切割技术，线运行速度高达3000米/分钟，切割效率较传统设备提升300%，切割过程中张力控制精度大幅提高，极大地提升了加工稳定性。TJ320机型支持4-12英寸晶圆兼容，单台年产能达20万片，可满足500辆新能源汽车的碳化硅电驱需求。
天晶智能总经理张耀在发布会上透露，通过与中科院、江苏师范大学物电学院等机构合作验证，设备良率已提升至98%以上，且完成1000小时连续切割稳定性测试，技术可靠性获得权威认可。
在设备成本及价格方面，天晶TJ320通过模块化设计和核心部件国产化，将成本压缩至行业平均水平的1/10至1/20。该设备已获欧洲、东南亚客户订单，预计2026年全球市场份额将突破30%。目前，天晶智能淮安生产基地年产能已达880台，二期工程将于2026年投产。
首芯半导体：12英寸PECVD Dubhe系列设备交付客户
近期，首芯半导体宣布，其自主设计研发的首台12寸Dubhe系列等离子体增强型设备（PECVD Amorphous Carbon无定形碳硬掩膜先进工艺）顺利出机并交付至国内特色工艺客户。
该设备可对应客户90/55/28nm及以下制程的无定形碳薄膜工艺，匹配国外主流厂商同类型设备的工艺规格，具有更高的生产效率、更宽的工艺调节窗口等优点。设备配备自主研发的射频控制系统、大气及真空传送平台，搭配了自主开发的软件控制系统，可以匹配客户的EAP和MES系统整合，协助客户自动化高效生产。
北方华创：首款12英寸电镀设备Ausip T830发布
3月末，北方华创发布其首款12英寸电镀设备（ECP）——Ausip T830。该设备专为硅通孔（TSV）铜填充工艺优化，主要面向2.5D/3D先进封装市场。北方华创的Ausip T830设备突破三十多项关键技术，该设备采用高真空密封和电化学沉积技术，实时优化预润湿及电镀参数，实现高深宽比TSV填充。通过优化电场、流场和药液浓度，使TSV内部及边缘的铜沉积均匀，减少缺陷，提高芯片良率和可靠性。
北方华创2025年第一季度实现营收82.06亿元，同比增长37.9%；归母净利润15.81亿元，同比增长38.8%；扣非净利润15.70亿元，同比增长44.75%。公司电容耦合等离子体刻蚀设备（CCP）等多款新产品实现技术突破，工艺覆盖范围扩大，推动了业绩的高速增长。
中微公司：首推12英寸晶圆边缘刻蚀设备Primo Halona
3月27日，中微公司正式发布了其自主研发的12英寸晶圆边缘刻蚀设备Primo Halona™。
Primo Halona™采用中微公司特色的双反应台设计，可灵活配置最多三个双反应台的反应腔，且每个反应腔均能同时加工两片晶圆。另外该设备腔体内部采用抗腐蚀材料设计，能够抵御卤素气体的侵蚀，同时配备Quadra-arm机械臂，确保了晶圆处理的灵活性和准确性。
另外，在4月22日，中微公司宣布其ICP双反应台刻蚀机Primo Twin-Star®在刻蚀精度上取得重大突破，反应台之间的刻蚀精度已达到0.2埃（亚埃级），在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蚀工艺上均得到验证。
孚烜科技：总部投产首批12英寸先进工艺SDS高端装备
3月下旬，孚烜科技宣布，其首批12英寸先进工艺 SDS 高端装备正式投产发货。据悉，此次交付的SDS高端装备为孚烜科技完全自主研发，专为先进制程设计，具备高自动化、高稳定性、高精度、质量保证、低维护成本等优势，专为半导体、光伏等领域定制解决方案。
公开资料显示，孚烜科技成立于2016年，是一家专业从事半导体、湿法清洗设备（Wet Bench）等研发、生产、销售及服务为一体的科创技术企业。据悉，孚烜科技在2024年11月成功开发出掩模版清洗机FX-Mask Clean 01，并被安徽省工业和信息化厅评定为国内先进，进一步丰富了公司的产品矩阵。
据悉，孚烜科技位于合肥经开区集成电路产业园的新总部基地预计于2025年5月初步试运行并实现部分投产。新基地的建成将显著提升公司的生产能力，全部投产后，产能将在现有基础上增加2倍以上，为公司未来3-5年的发展提供强有力的支撑。
