天岳先进交付高质量P型碳化硅衬底，推动SiC-IGBT发展

天岳先进近日宣布，公司已成功向客户交付了高质量低阻P型碳化硅衬底，这一成果将加速高性能SiC-IGBT技术的发展，并助力高端特高压功率器件实现国产化。

针对P型碳化硅单晶衬底在成本、电阻率和缺陷控制方面的技术挑战，天岳先进采用液相法技术，于2023年公布全球首个8英寸碳化硅晶体，并在2024年推出4度偏角P型碳化硅衬底。

液相法技术以其生长高品质晶体的能力而著称，天岳先进在该领域已获得低贯穿位错和零层错的碳化硅晶体。公司制备的P型4度偏角碳化硅衬底电阻率小于200mΩ·cm，具有面内电阻率分布均匀和良好的结晶性。

在市场占有率方面，天岳先进的n型产品全球市占率排名第二，高纯半绝缘型碳化硅衬底产品连续五年全球市占率排名第三。2023年，天岳先进与英飞凌、博世等国际企业签署了长期合作协议，车规级产品获得国际客户认可，实现了6英寸和8英寸碳化硅导电型衬底产品的批量销售。高纯半绝缘碳化硅衬底产品为高频高输出的射频器件提供材料基础，适用于5G基站射频器件、卫星通信等应用领域。

天岳先进的这一成就不仅展示了公司在碳化硅衬底领域的技术实力，也为国内高性能功率器件的发展提供了有力支持，进一步巩固了其在全球碳化硅市场的领先地位。