台湾和辽宁新工厂落成，SiC衬底产能大幅提升

近日，中国台湾和辽宁省纷纷宣布新工厂的落成，标志着在碳化硅（SiC）衬底生产领域的重大进展。台湾格棋化合物半导体在桃园中坜区的新厂正式启用，预计每年可生产72,000片6吋SiC衬底。该项目总投资达6亿新台币（约1.33亿人民币），预计2024年第四季度达到满产。

新工厂不仅具备每月生产5000片衬底的能力，还将在年底前增设20台8吋和100台6吋长晶炉，大幅提升产量。格棋还与台湾中科院和日本三菱达成合作，分别聚焦高频通讯用碳化硅组件及扩展日本市场的SiC产品布局，展现出其在SiC领域的雄心和市场导向。

与此同时，辽宁奥亿达新材料股份有限公司也在积极建设其新的生产中心，计划年产1000吨沥青基碳纤维和500吨热场隔热材料，总投资达4.52亿元。这一项目不仅将促进当地经济发展，还预计创造329个就业机会。