罗姆半导体推动SiC技术普及，加速8英寸衬底生产

罗姆半导体在SiC（碳化硅）技术领域取得显著进展，助力SiC在电动汽车等领域的快速普及。随着SiC上游衬底价格的下降，罗姆认为制造性能优异且具有成本竞争力的产品是未来的关键。罗姆在2009年收购了德国SiCrystal公司，拥有了SiC衬底制造能力，并具备SiC功率器件的IDM制造能力，实现了全产业链布局。

在车载应用领域，罗姆的SiC业务中约六成为电动汽车应用，预计2024财年这一比例将进一步增加。SiC在电动汽车中的主要应用是主驱逆变器，随着成本下降，SiC主驱逆变器的应用正从高端车型向中低端车型渗透。

罗姆推出了用于主机逆变器的SiC塑封模块TRCDRIVE pack™，该产品采用罗姆自有的结构设计，扩大了散热面积，实现了紧凑型封装，并搭载了低导通电阻的第4代SiC MOSFET，实现了业界超高功率密度，有助于xEV逆变器的小型化。

为加速SiC技术的市场化，罗姆计划于2025年推出基于8英寸衬底的第5代SiC MOSFET产品，并提前了第6代及第7代产品的市场投入计划。罗姆通过提供多种形态的SiC产品和系统级解决方案，强化了在中国市场的地位，与多家中国OEM和Tier1厂商建立了深度合作关系，推动了SiC产品在中国市场的应用。

面对SiC市场日益激烈的竞争，罗姆的衬底制造能力和系统级解决方案的提供，将有助于公司在竞争中扩大市场份额，实现制造性能更好、成本更具竞争力的产品。随着8英寸SiC衬底的应用和新一代SiC MOSFET产品的推出，罗姆有望在SiC市场中占据有利地位。