近日，ASML新任CEO傅恪礼（Christophe Fouquet）介绍了ASML的High NA EUV光刻机（售价或超4亿欧元，约合31亿元人民币），并表示英特尔的第二套 High NA EUV光刻机已经组装完成。
Christophe Fouquet表示，High NA EUV光刻机不太可能像最初的EUV光刻机那样出现延迟。据其表示，ASML找到了组装扫描仪子组件的新方法，即在客户的现场组装，无需经历组装、拆卸及再组装的过程，这将大大节省ASML与客户之间的时间和成本，有助于加快High NA EUV光刻机的发货和交货。
这台EUV已于去年底运抵英特尔俄勒冈州D1X工厂
英特尔院士兼光刻总监Mark Phillips在之后的演讲中也表示，英特尔已经在波特兰工厂完成了两套的High NA EUV光刻系统的安装，并表示第二个系统的安装比第一个更快。
此外，Mark Phillips 还公布了一些的数据，说明了 High NA EUV光刻机相对于标准EUV光刻机所带来的改进，通过High NA EUV光刻机应用出来的改善结果可能要比之前想象中还要多。
据称，High NA EUV光刻机所需的所有基础设施已经到位并开始运行。用于High NA EUV光刻机的光罩检测工作已经按计划开始进行。因此，英特尔无需做太多辅助支持工作即可将其投入生产。
Mark Phillips还被问及关于CAR（化学放大光刻胶）与金属氧化物光刻胶的问题，他表示，CAR目前还不错，但将来可能需要金属氧化物光阻剂。这似乎推迟了对金属氧化物光刻胶（如泛林集团的干光刻胶）的需求，对于日本JSR或泛林集团来说不是好消息。
值得注意的是，台积电以成本为由，迟迟不肯接受High NA。在外界看来，这有点像台积电的谈判游戏，也许是在与ASML争夺更好的条件；但预测台积电不会坚持太久，最终也会跟进。
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