新思科技公布1.6纳米背面布线项目

新思科技（Synopsys）与台积电再度携手，共同揭开了1.6纳米背面电源布线项目的神秘面纱，这一创举无疑为万亿晶体管芯片时代的到来铺设了坚实的基石。

双方正紧密合作，针对台积电A16 1.6纳米工艺，研发出革命性的背面布线功能，旨在解决万亿级晶体管设计面临的电源分配与信号布线挑战，开启了芯片设计与制造的新纪元。

面对日益复杂的物理验证需求，新思科技推出的互操作工艺设计工具包（iPDK）及IC Validator物理验证运行集，为设计团队提供了强有力的支持，助力其高效跨越至台积电N2 2纳米技术。尤为关键的是，针对功率这一多芯片设计的核心要素，双方的合作成果显著，为构建高性能、低功耗的芯片奠定了坚实的基础。

联发科等行业巨擘亦紧随其后，在台积电平台上利用先进的人工智能驱动EDA流程开发2纳米芯片，而台积电、新思科技与Ansys的强强联合，更是通过创新的多物理场流程，有效解决了散热与功耗完整性的难题，为芯片设计的全面发展注入了新的活力。

台积电生态系统与联盟管理部门主管Dan Kochpatcharin对此高度评价，他强调：“与新思科技的紧密合作，不仅加速了EDA与IP解决方案的创新步伐，更为我们共同客户带来了前所未有的生产效率提升与卓越性能表现。这一合作成果，无疑是对先进人工智能芯片设计领域的一次重大贡献。