重要性仅次于光刻机，中国氢离子注入技术打破国外垄断

国家电力投资集团有限公司（国家电投）近日宣布，其下属的国电投核力创芯（无锡）科技有限公司（核力创芯）暨国家原子能机构核技术（功率芯片质子辐照）研发中心，成功完成了首批氢离子注入性能优化芯片产品的客户交付。

这一成就标志着中国已全面掌握功率半导体高能氢离子注入核心技术和工艺，填补了国内半导体产业链中的关键空白，为半导体离子注入设备和工艺的全面国产化打下了坚实的基础。

氢离子注入是半导体晶圆制造中的关键步骤，对于集成电路、功率半导体、第三代半导体等多种半导体产品的制造至关重要。此前，中国在该领域的核心技术及装备工艺主要依赖进口，特别是600V以上的高压功率芯片。核力创芯的技术突破不仅打破了国外的技术垄断，还为国内半导体产业的高端化发展提供了强有力的支持。

面对外国关键技术及装备的封锁，核力创芯坚持自主创新，在短时间内突破了多项关键技术壁垒，实现了技术和装备的100%国产化。公司建立了中国首个核技术应用和半导体领域交叉学科研发平台，首批交付的芯片产品经过了近万小时的工艺及可靠性测试验证，主要技术指标达到国际先进水平，获得了客户的高度评价。

这一技术突破对于提升中国半导体产业的自主创新能力和国际竞争力具有重要意义，有助于推动中国半导体产业的高质量发展。