长飞先进武汉半导体基地主体楼封顶

9月10日晚，长飞先进公司传来消息——其位于武汉的半导体制造基地主体楼已全面封顶。

长飞先进武汉基地，其建设规模宏大，占地面积约22.94万平方米，建筑面积更是达到了30.15万平方米。这里将不仅是一个生产工厂，更是一个集芯片设计、制造、技术研发于一体的综合性创新平台，专注于第三代半导体功率器件的研发与生产，特别是SiC（碳化硅）功率半导体领域。

随着晶圆厂、封测厂、外延厂等核心设施的封顶，长飞先进武汉基地的建设进入了全新的阶段。预计从今年10月开始，首批先进设备将陆续入驻，为2025年6月的量产通线奠定坚实基础。

届时，该基地将具备年产36万片SiC晶圆及外延、6100万个功率器件模块的生产能力，产品广泛应用于新能源汽车、光储充等前沿领域，为推动这些行业的快速发展提供强有力的技术支持和产能保障。

长飞先进在SiC功率半导体领域的深耕细作，展现了其强大的技术实力和敏锐的市场洞察力。公司不仅覆盖了650V-3300V全电压平台的SiC MOSFET和SBD产品，还成功将多款晶圆代工和自营产品推向市场，其中1200V 15mΩ SiC MOSFET产品更是凭借其卓越的性能，开始在车载主驱逆变器等领域崭露头角。