信越化学推出用于GaN器件的12英寸晶圆

在半导体材料领域，氮化镓（GaN）作为第三代半导体的佼佼者，正以其独特的性能优势引发行业变革。近期，日本半导体巨头信越化学宣布成功研发出用于GaN外延生长的12英寸（300毫米）QSTTM衬底，并已开始供应样品，这一举措无疑为GaN技术的商业化进程注入了强劲动力。

长期以来，GaN器件制造商受限于大直径基板的缺乏，难以通过增加材料直径来降低成本。信越化学此次推出的12英寸QSTTM衬底，凭借其与GaN相同的热膨胀系数，实现了高质量厚GaN外延生长，有效解决了外延层“翘曲”或“裂纹”问题，显著降低了器件成本。这一创新不仅巩固了信越化学在GaN材料市场的领先地位，更为全球GaN产业链的发展提供了新的可能。

氮化镓产业链涵盖衬底、外延、晶圆代工、芯片设计四大环节，其中衬底作为产业链的源头，其重要性不言而喻。随着GaN技术的不断成熟，国内外厂商纷纷加大研发投入，推动衬底材料的创新与升级。从蓝宝石、碳化硅到硅等异质衬底，再到如今的12英寸QSTTM衬底，GaN单晶衬底及同质外延器件的发展正逐步追赶并超越基于异质外延器件的应用。

从市场格局来看，国外以日本住友化学、三菱、碍子等为代表的厂商在GaN衬底领域占据一定优势；而国内则涌现出苏州纳维、东莞中镓等后起之秀，不断缩小与国际先进水平的差距。此外，阜阳师范大学与镓数氮化物产业研究院的合作项目，以及日本大阪大学、丰田合成与松下控股的联合研发，均显示出全球范围内对GaN技术的重视与投入。