3.3 kV碳化硅MOS业界领先的（SiC）功率器件，实现更高的效率与可靠性

产品特性：
1. 第三代 SiC MOSFET 技术
2. 推荐 +18V/-3 -5 V 栅压驱动
3. 高阻塞电压与低RDS（打开）
4. 高速、寄生电容小5. 175℃工作结温
6. 低速高速切换电容
7.开尔文源TO-247-4L
SiC MOSFET作为第三代功率半导体器件，以其阻断电压高、工作频率高，耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点成为当前最具市场前景的半导体产品之一，正广泛应用于新能源汽车，光伏逆变器，储能电源，轨道交通、牵引变频器，航空航天，大功率特种电源等领域。

新技术和新产品:

低开启电压（15V、12V）

超高耐压截止环技术（6500伏+）

平面栅垂直结构

双面镀金工艺、沟槽栅工艺

为电气化交通、可再生能源、航空航天和工业应用的设计人员开发更小、更轻和更高效的解决方案提供了便利。