碳化硅MOS电压650V~1200V~1700V~3300V，单管电流1A-200A（国产晶圆/SiC模块）

SiC MOSFET作为第三代功率半导体器件，以其阻断电压高、工作频率高，耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点成为当前最具市场前景的半导体产品之一，正广泛应用于新能源汽车、光伏逆变器、轨道交通领域，智能电网等领域。
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