三星谨慎布局GaN晶圆代工，Q2 24小规模引进爱思强设备

据韩媒报道，三星电子正低调投资氮化镓（GaN）晶圆代工市场，计划在2024年第二季度为韩国器兴工厂少量引进德国爱思强（Aixtron）的MOCVD设备。此举被解读为三星为初期生产做准备的谨慎布局。

GaN作为新一代功率半导体材料，以其卓越的高温、高压和高效能特性，在IT、通讯和汽车等领域需求激增。MOCVD是制造GaN晶圆的关键技术，市场主要由爱思强和美国Veeco主导。

值得注意的是，此次三星仅引进1-2台爱思强最新型MOCVD设备，远低于去年讨论的30-40台规模。这反映了三星在投资速度上的控制策略，尤其是在尚未获得大客户且资金集中于高带宽存储器等领域的情况下。

三星对GaN功率半导体市场寄予厚望，已宣布将于2025年提供消费电子、数据中心和汽车领域的8寸GaN晶圆代工服务。同时，韩国其他企业如DB HiTek和SK海力士系统IC也在积极筹备GaN晶圆代工业务，预计在未来几年内实现量产。